東信州次世代イノベーションセンター

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topics 産学連携・研究開発事業

「電気・ICT分野」講演会のご案内

■日時:平成29年5月18日(木) 14:00~17:00
※終了後(17:00~)名刺交換交流会開催
■会場:信州大学繊維学部内AREC(上田市産学官連携施設4階)

・講演1 14:00~15:00
【演題】「IoTとM2M Gatewayの関わり」
講師: 株式会社カウベルエンジニアリング
営業部 課長 臼田 克也 氏
【概要】昨今、IoT(Internet of Things)という言葉が大きな注目を
集めるようになりました。IDC Japanによれば、日本国内のIoT市場
だけで、6兆2232億円(2015年)にもなり、さらに2020年には
13兆7595億円まで拡大するとの見通しもあります。
「アナログな企業だから」「ITすら上手く活用できていない」と、
IoTとは無縁だと思っている企業や業界も含め、今後IoTによって
劇的に変化していくと考えられるのです。
そこで、弊社が提供・提案する【M2MGateway】がどんな場所で、
どんな事が出来るのかをご紹介させて頂きたいと思います。

 

・講演2 15:00~16:00
【演題】「iIoT(製造業のIoT)事例紹介」
講師: 一般財団法人塩尻市振興公社
塩尻インキュベーションプラザ(SIP)
工業振興(ICT)コーディネーター 横澤 幸男 氏
【概要】塩尻市振興公社では、ICT(情報通信技術)初心者でも
取り扱えて、且つ廉価な工作機械稼働状態モニタリング方法を提案し、
市内中小製造業の工場にてトライアル(実証試験)を行なっています。
ついては、その内容・結果を多くの皆様に知っていただき、
応用していただくためにご報告します。

 

・講演3 16:00~17:00
【演題】「電気エネルギーの高効率利用を目指した
パワーエレクトロニクスと パワーマグネティックスの協創」
講師:信州大学工学部 電子情報システム工学科 教授 佐藤 敏郎 氏
【概要】ワイドバンドギャップSiC/GaNパワー半導体デバイスを
コア技術として、電気エネルギーの効率的な利用を目指した
次世代パワーエレクトロニクス技術開発に関する複数の
国家プロジェクトが推進されています。
SiC/GaNパワー半導体デバイスの特徴を活かして
パワーエレクトロニクス機器の高効率化や小型軽量化を実現するには、
電力変換回路に欠かせないリアクトルやトランスなどの高周波電力用
磁気部品に対しても高周波低損失・高耐熱な新しい磁性材料の開発が
必要です。本講演では、JST京都スーパークラスターやNEDOの
プロジェクトで取り組んでいるMHz帯電力変換用リアクトル
/トランスの研究開発とSiC/GaNパワーエレクトロニクスへの
適用事例を紹介します。

 

●お申し込み先 AREC・Fiiプラザ事務局 宛
電話(0268-21-4377) メール(mousikomi@arecplaza.jp)
FAX(0268-21-4382)
詳細・申込書はこちらをご覧ください。電気・ICT分野-講演会案内
テキストの準備等のため、なるべく事前申し込みをお願いします。

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